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元件参数资料
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参数目录44378
> 1N4006 DIODE GEN PURPOSE 800V 1A DO41
型号:
1N4006
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
DIODE GEN PURPOSE 800V 1A DO41
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
1N4006 PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
5,000
系列
-
二极管类型
标准
电压 - (Vr)(最大)
800V
电流 - 平均整流 (Io)
1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)
1.1V @ 1A
速度
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)
-
电流 - 在 Vr 时反向漏电
5µA @ 800V
电容@ Vr, F
15pF @ 4V,1MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AL,DO-41,轴向
供应商设备封装
DO-41
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1611 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
1N4006-ND
1N4006FSTR
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